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采用有限差分算法，对双门聚焦结构的场致发射阵列阴极进行了三维模拟计算，得到了锥尖处的电场强度，电子的运动轨迹及电位分布图。结果表明，聚焦极电位、聚焦极孔半径及聚焦极与栅极间距的变化对锥尖电场影响不大，但对电子轨迹影响很大。当聚焦极电位超过140V时，电子束的会聚作用消失；低于-30V时．电子束轨迹出现交叉。减小聚焦极孔径可以加强电子束的会聚作用，但当其减小至0．75μm时，聚焦极会捕获部分边缘电子。因此在实际确立聚焦极参量时，应主要从聚焦极对电子束轨迹的会聚作用方面考虑，其次再考虑聚焦极对锥尖场强的影响。