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用蒙特卡罗方法模拟Si^+注入Si3N4/GaAs的力学运动,以考察沉积在GaAs材料表面的无定形Si3N4阻挡层对Si^+射程分布的影响。模拟计算和实验结果都表明,Si3N4阻挡层能够有效地削减Si^+在GaAs衬底中的射程,避免沟道效应,得到浅结。但是阻挡层中也有相当数量的Si、N原子由于与入射的Si^+相互碰撞反冲进入GaAs衬底。