论文部分内容阅读
退火处理对材料的缺陷结构有一定的影响。本文以钛圆盘作为阴极靶,Si作为衬底,采用直流磁控溅射制备不同浓度的电子元件用含He纳米晶钛膜,然后对其进行高温退火处理后进行观察分析。最后得到结论,电子元件用含He纳米晶钛膜中生成有择优取向的TiSi2晶体,经过退火处理后的试样钛膜表面层以及保护层的缺陷结构产生变化。该研究为含He纳米晶钛膜的研究应用提供了有用参考。