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对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾，分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型（BSIM3和EKV模型），对它们进行了比较，分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的携型是很困难的，而EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。