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介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计.该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50 ns的输入输出延迟时间.该电路可广泛应用于GaAs FET功率放大器的控制电路中.
一种快速电压变换器的研制
【摘 要】
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介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计.该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50 ns的输入输出延迟时间.该电路可广泛应用于GaAs FET功率放大器的控制
【机 构】
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中国电于科技集团公司第二十四研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2003年2期
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