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金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长系统中通常用激光干涉曲线对材料生长进行实时监控.根据薄膜干涉原理,通过建立反射模型,对GaN薄膜的生长干涉曲线振幅的变化与其生长模式及表面粗糙度的关系进行了详细的阐述和分析.结果表明:干涉曲线中的振幅会随薄膜表面粗糙度的增大而衰减,其衰减程度与粗糙的变化快慢有关,根据材料的实时干涉曲线可揭示其在不同生长过程中的生长模式和定量分析样品表面粗糙度.