【摘 要】
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本文报导了InP晶体沿[110]带轴的高分辨结构象。使用JEOL-4000EX顶插式电子显微镜(点分辨1.9nm)对InP晶体沿[110]带轴进行观察,在试样厚度约为35nm,欠焦量约为46.5nm时,拍摄
【机 构】
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南京大学固体微结构物理实验室,南京大学固体微结构物理实验室,南京大学固体微结构物理实验室,
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本文报导了InP晶体沿[110]带轴的高分辨结构象。使用JEOL-4000EX顶插式电子显微镜(点分辨1.9nm)对InP晶体沿[110]带轴进行观察,在试样厚度约为35nm,欠焦量约为46.5nm时,拍摄到超高分辨的结构象,原子间距为0.147nm,并且计算出模拟象。贫验结果和模拟象符合的较好。
This paper reports the high-resolution structure of InP crystals along the [110] axis. The InP crystal was observed along the [110] axis using a JEOL-4000EX top-insert electron microscope (dot-resolved 1.9 nm) with ultrahigh resolving power at a sample thickness of about 35 nm and an under-power of about 46.5 nm Structure like, atomic pitch is 0.147nm, and calculate the simulation image. Poor results and simulation of the image is in line with the better.
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