【摘 要】
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本文采用两个场效应管并联的芯片,在其中一个的栅区以聚酰亚胺膜作为参比膜,另一个的栅区以氯化银膜作为氯离子敏感膜,制成氯离子敏感场效应晶体管(Cl~--ISFET)。采用差分测
【机 构】
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华南理大学应用化学系,华南理大学应用化学系,华南理大学应用化学系,
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本文采用两个场效应管并联的芯片,在其中一个的栅区以聚酰亚胺膜作为参比膜,另一个的栅区以氯化银膜作为氯离子敏感膜,制成氯离子敏感场效应晶体管(Cl~--ISFET)。采用差分测试法对氯离子进行测试,其线性响应范围是1.0～1.0×10~(-5)mol·L~(-1),响应时间小于5秒,24小时漂移小于1mv/hr,连续使用寿命75天。
In this paper, two FETs in parallel with the chip, one of the gate to the polyimide film as a reference film, the other to the silver chloride chloride film as a chloride-sensitive membrane, made of chloride-sensitive field Effect Transistor (Cl ~ - ISFET). The chloride ion was tested by differential test, the linear response range was 1.0 ~ 1.0 × 10 -5 mol·L -1, the response time was less than 5 seconds, the drift was less than 1mv / hr in 24 hours, Life of 75 days.
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