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本文用Ｓｉ６６Ｈ５０原子集团模拟Ｓｉ（１００）表面，采用ＣＮＤＯ分子轨道理论方法计算了Ｈ２Ｏ在其上吸附的热能面。确定出Ｈ２Ｏ在Ｓｉ（１００）表面的撮佳吸附位为洞位。在桥位Ｉ、桥位Ⅱ和顶位上吸附时势能依次升高。
水分子在Si（100）面上吸附位的确定
【摘 要】
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本文用Ｓｉ６６Ｈ５０原子集团模拟Ｓｉ（１００）表面，采用ＣＮＤＯ分子轨道理论方法计算了Ｈ２Ｏ在其上吸附的热能面。确定出Ｈ２Ｏ在Ｓｉ（１００）表面的撮佳吸附位为洞位。在桥位Ｉ、桥位Ⅱ和顶位上吸附时势能依次升高。
【机 构】
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山东大学光电材料与器件研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院表面物理实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年11期
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