【摘 要】
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基于130 nm PD-SOI工艺,设计了一种用于GPS接收机射频前端的单片低噪声放大器（LNA）。利用SOI工艺特有的低噪声特性,降低了衬底耦合到电路的噪声。采用单独的带隙基准源和LDO为
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室; 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
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基于130 nm PD-SOI工艺,设计了一种用于GPS接收机射频前端的单片低噪声放大器（LNA）。利用SOI工艺特有的低噪声特性,降低了衬底耦合到电路的噪声。采用单独的带隙基准源和LDO为低噪声放大器供电,降低了电源纹波和高频噪声对放大器噪声性能的影响。测试结果表明,在3.3 V电源电压、1.575 GHz工作频率下,该LNA的噪声系数仅为1.49 dB,增益为13.7 dB,输入回波损耗S11、输出回波损耗S22均小于-15 dB,输入P1 dB为-13 dBm,IIP3为-0.34 dBm。
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