【摘 要】
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1、基体材料——碳化硅。由于碳化硅含量越高,红外线辐射性能越好,在工艺可能的情况下,使其含量达到75％,其余以粘土作粘接剂,在倒焰窑中以1350℃烧结。
1, the substrate ma
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1、基体材料——碳化硅。由于碳化硅含量越高,红外线辐射性能越好,在工艺可能的情况下,使其含量达到75％,其余以粘土作粘接剂,在倒焰窑中以1350℃烧结。
1, the substrate material - silicon carbide. Since the higher the silicon carbide content, the better the infrared radiation performance, the content is 75% when the process is possible, and the rest is made of clay as a binder and sintered at 1350 ° C in a down-firing kiln.
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