论文部分内容阅读
本文应用格林函数方法计算氢在一组Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能(ΔE)和衬底向吸附原子的电荷转移(Δq)。半导体衬底用一维半无限sp轨道交替排列模型描述。结果表明,ΔE与半导体的禁带宽度和其表面指数密切相关。另外,当半导体表面格点上的原子分别为类-s原子和类-p原子时,ΔE也不相同。