【摘 要】
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采用23kHz脉冲电源,以六甲基二硅氧烷（HNDSO）为单体,氧气为反应气体,氩气为辅助气体,利用平行板式电容耦合等离子增强化学气相沉积装置在PET基底上制备高阻隔无机氧化硅薄膜。
【机 构】
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北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理及材料研究室
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采用23kHz脉冲电源,以六甲基二硅氧烷（HNDSO）为单体,氧气为反应气体,氩气为辅助气体,利用平行板式电容耦合等离子增强化学气相沉积装置在PET基底上制备高阻隔无机氧化硅薄膜。通过等离子发射光谱及四极杆质谱仪的实时在线诊断,对等离子体中的中间产物及活性物种进行检测。沉积薄膜的化学结构采用傅里叶变换红外光谱仪进行分析,同时测量了所制备薄膜的透氧率。结果表明,随着氧气含量的增加,等离子体中的碳氢化合物及氧化物含量增加,这说明,此时等离子体中存在较强的碳氢化学反应及氧化反应。在氧气含量较高时,薄膜有机成分较
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