【摘 要】
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研究了nc-Si：H薄膜的光致发光(PL)，分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品，晶粒尺寸有一上限，其值在4～5nm之间。在10～77K，nc-Si：H薄膜的发光强度几乎没有变化；当温度高于7
【机 构】
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中科院微电子中心,北京航空航天大学,中科院半导体所
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研究了nc-Si：H薄膜的光致发光(PL)，分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品，晶粒尺寸有一上限，其值在4～5nm之间。在10～77K，nc-Si：H薄膜的发光强度几乎没有变化；当温度高于77K，发光强度指数式下降。随温度升高，发光峰位有少许红移。讨论了nc-Si：H光致发光机理，用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释。从载流子的激发、复合两方面讨论了发光过程，认为载流子在晶粒内部激发后，弛豫到晶粒界面的发光中心复合发光。
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