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采用直流反应磁控溅射法，通过控制氮氲流量比，在Si（111）衬底上沉积了TiN薄膜，并用织构系数来量化TiN薄膜的生长取向。对TiN薄膜的织构、物相组成、形貌进行表征，分析了溅射沉积过程中氮氩流量比对TiN薄膜生长织构的影响，同时还分析了不同织构薄膜的表面及截面形貌。结果表明：氮氩流量比低于1：30时，薄膜的织构由（200）转变为（111），同时还出现了TiN0.61，相；（111）织构的薄膜表面均匀，致密性好，粗糙度小，以氮氩流量比为1：60时所得织构系数为1．63的（111）薄膜最好。