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,Lg =100 nm T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs on Si substrates with non-planar source/drain regrowth of
【机 构】
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College of Engineering and Technology.Southwest University, Chongqing 400715, China“,”Department of
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2014年12期
其他文献
该文以蔷薇科果树梨为试材,在活体和离体条件下,研究了花柱S-RNase降解花粉RNA、抑制花粉管生长的机制,获得了以下结果:1、在室内用32p溶液处理梨花枝的方法,标记了梨花粉,通