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在HFCVD系统中采用B2O3作为掺杂源制备了B掺杂CVD金刚石厚膜，利用X-射线衍射仪研究了B掺杂对CVD金刚石厚膜应力的影响。结果显示，B元素的掺杂改变了金刚石膜的成分和结构，膜中非晶态碳含量随着掺杂浓度的增加而增加。在低掺杂时CVD金刚石厚膜成核面上的应力状态为压应力，在高掺杂时应力状态为张应力，张应力值随着掺杂浓度的增加而增加。掺杂CVD金刚石厚膜生长面的应力为张应力，在高掺杂时的张应力值较高。