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高数值孔径（NA）光刻中，需要控制衬底反射率以减小薄膜干涉对光刻性能的影响。采用薄膜光学方法研究了高NA光刻中底层抗反膜（BARC）对衬底反射率的控制。针对硅基底对单层和双层BARC进行优化以探索满足高ⅣA光刻要求的BARC材料光学参数容限。结果表明，当NA超过0．8时，单层BARC无法控制衬底反射率而有必要采用双层BARC。横电（TE）比横磁（TM）偏振光的衬底反射率更难以控制。NA越大，单层BARC折射系数的优化值越大。双层BARC中的顶层膜应采用低吸收率材料而底层膜应采用高吸收率材料。本研究可为高N