A位替代对Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷介电性能的影响

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研究了A位Nd3+、Dy3+、Y3+、Er3+、Sb3+替代对Bi2O5-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷结构和介电性能的影响。在替代量x≤0.4时,替代后的样品均保持单一的单斜焦绿石结构;Y3+替代的样品在960℃致密成瓷,Nd3+、Dy3+、Sb3+替代的样品在1000℃致密成瓷,而Er3+替代的样品在1050℃致密成瓷,因此,不同离子替代可有效地降低烧结温度;Nd3+、Dy3+、Y3+、Er3+替代样品的介电常数温度系数先增大后减小,当替代量x=0.4时,Y3+替代的样品的介电常数温度系数突然增大
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