新型顺序旋转四馈电圆极化叠层微带天线设计

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zohan_rfs
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提出了一种顺序旋转四馈电网络与微带贴片集成设计的新型圆极化天线。采用叠层微带结构展宽阻抗带宽并提高天线增益;将天线地板四周折叠,在减小横向尺寸的同时提高前后比。为了便于阻抗调谐,在下层激励贴片中心开圆形孔,改善阻抗匹配特性。馈电网络与激励贴片共面一体化设计,利用顺序旋转四馈技术展宽轴比带宽,获得对称的圆极化辐射性能。制作了天线实物并进行测量。试验结果表明,天线在884~969 MHz频段内S11<-10 dB,阻抗相对带宽9.3%;在895~946 MHz频段内顶点轴比小于3 dB,圆极化相对带宽5
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期刊
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具有R-P层状钙钛矿结构的Ca3Ti2O7材料具有由氧八面体面内旋转和面外倾侧引起的杂化非本征铁电性,因其有望打破铁电性与磁性电子构型互斥的关系,实现室温强磁电耦合而受到广泛关注。综述了近年Ca3Ti2O7杂化非本征铁电体的制备方法、工艺及其掺杂改性的最新进展,重点阐述并总结了A位、B位掺杂及A/B位共掺对Ca3Ti2O7
为了优化屏蔽栅沟槽型MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET,简称SGT结构)的电场分布,将高k介质代替部分沟槽绝缘介质层,提出了高k屏蔽栅沟槽型MOSFET(高k SGT结构)。分析了高k SGT结构的工作原理,通过在高k介质底部引入新的电场峰值,使电场分布更均匀以提高器件的耐压。Sentaurus TCAD软件仿真结果显示高k SGT结构的击穿电压为114.5 V,与传统SGT结构相比,击穿电压提高了10.7%,Baliga优值(BFOM)提高了15.2%。因此在不增加掩模
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