【摘 要】
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采用磁控溅射方法制备NiFe/FeMn双层膜（分别以Ta、Cu作为缓冲层，Ta作为保护层）。实验发现，以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏
【机 构】
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北京科技大学材料物理系,中国科学院物理研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金重大资助项目 (1 9890 31 0 )
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采用磁控溅射方法制备NiFe/FeMn双层膜（分别以Ta、Cu作为缓冲层，Ta作为保护层）。实验发现，以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大，而矫顽力却很小。我们从织构、界面粗糙度两方面对其中的原因进行了分析。以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜有好的织构且NiFe/FeMn界面较平滑，这引起了较强的交换偏置场和较低的矫顽力。
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