表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaodaoluan

【摘要】

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研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻从8×10-3降低到2.9×10-4Ω·cm2.利用X射线光

【作者】

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赵德胜张书明朱建军赵德刚段俐宏张宝顺杨辉

【机构】

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中国科学院半导体研究所,长春理工大学

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2007年z1期

【关键词】

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王水 P-GAN NI/AU XPS 比接触电阻率

【基金项目】

：

高功率半导体激光器国家重点实验室基金资助项目(批准号:51456020205ZK0301)

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研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻从8×10-3降低到2.9×10-4Ω·cm2.利用X射线光电子谱(XPS)对p-GaN表面氧含量进行分析,结果表明王水可以有效地去除p-GaN表面的氧化物,从而改善p-GaN的欧姆接触特性.

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