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随着集成电路工艺的不断革新,集成电路器件的尺寸不断减小,当MOS管的尺寸小到一定程度时,会出现短沟道效应,此时MOS管特性与通常相比有很大不同。本文介绍了描述短沟道MOS管特性的一些公式,然后利用硬件描述语言VHDL-AMS对短沟道MOS管进行了行为建模,并利用混合信号仿真器SMASH5.5对模型进行了仿真,将短沟道MOS管模型特性与一般模型特性作了比较。