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本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂（p-Si：H）膜。用拉曼（Raman）光谱测试了p-Si：H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜（SEM）观察了其形貌。结果表明：在SnO2上沉积的p-Si：H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗粒尺寸也较大。通过Ⅰ-Ⅴ测试仪测试了ZnO：Al/p-Si：H、SnO2/p-Si：H和SnO2/ZnO：Al/p-Si：H的接触特性,结果显示ZnO：Al/p-Si：H的接触特性并不比SnO2/p-Si：H差。