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Si衬底上生长的Co薄膜,经250,450,500℃退火后.用电子显微镜对Co/Si界面处CoSi化合物的相转变进行了观察结果发现CoSi为多晶颗粒.CoSi相和基体无取向关系Co/Si界面在退火温度范围内的相变过程为:250─450℃450─500℃Co2Si+Cosi─→COSi─→Cosi+CoSi2