【摘 要】
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采用GaAs工艺设计了一个12~18GHz毫米波单片集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。采用三级单电源供电放大结构,运用最小噪声匹配设计、共轭匹配技术和负反馈结构,同时满足了噪
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采用GaAs工艺设计了一个12~18GHz毫米波单片集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。采用三级单电源供电放大结构,运用最小噪声匹配设计、共轭匹配技术和负反馈结构,同时满足了噪声系数、增益平坦度和输出功率等要求。仿真表明:在12~18GHz的工作频带内,噪声系数为1.15~1.41dB,增益为27.9~29.1dB,输出1dB压缩点达到15dBm,输入、输出电压驻波比(VSWR)系数小于1.72。
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