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采用自助熔剂法生长高质量准一维CrSbSe3单晶材料,研究Pb掺杂对产物晶体结构和电磁特性的影响.结果表明,实验所得产物是正交结构的一维针状铁磁单晶材料.由于杂质能级随温度升高而激发,通过少量Pb掺杂可在100~300 K温度范围内对单晶的电阻率进行显著调控.同时,掺杂后的单晶在磁场平行晶轴b方向和垂直晶轴b方向的饱和磁矩和饱和磁化强度均得到提升,显示出晶体在磁学中的各向异性.