【摘 要】
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本文简单介绍GaAs双栅功率FET的设计考虑、结构、制作工艺和初步实验结果.器件的最佳性能为:4.5千兆赫下输出功率440毫瓦时增益9.4分贝,输出功率660毫瓦时增益3.2分贝,效率均
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本文简单介绍GaAs双栅功率FET的设计考虑、结构、制作工艺和初步实验结果.器件的最佳性能为:4.5千兆赫下输出功率440毫瓦时增益9.4分贝,输出功率660毫瓦时增益3.2分贝,效率均大于20%.
This article presents a simple introduction to the design considerations, structure, manufacturing process, and preliminary experimental results of a GaAs dual-gate power FET that delivers an output power of 440 milliwatts at 4.5 GHz with a gain of 9.4 dB and a gain of 660 milliwatts when output power is 3.2 DB, the efficiency is greater than 20%.
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