半导体激光器生成双波长超窄脉冲的实验研究

来源 :红外与激光工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:emydisk
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
描述了一种用腔外注入方式调制增益的法布里珀罗半导体激光器产生双波长超窄脉冲的简单方法.腔外注入功能部分包含一个直流工作的法布里珀罗半导体激光器、一个3dB光耦合器和两个布喇格型光纤光栅.双波长的选择和间距通过调节光栅来实现.文中描述的系统实现了在10nm的调节范围内边模压制率优于17dB的理想结果.整个系统简单、成本低.
其他文献
提出一种快速演化算法 (FEA) ,在演化过程中融合了梯度的随机模拟、免疫算子和模拟退火算法的思想 ,使得算法朝着优化的方向进行 ,在一定程度上避免了标准演化算法的演化时间
对一般混沌轨迹的相位定义进行了研究,考虑到大量的混沌运动投影到相平面后不是只有一个转动中心的正规转动,给出了两种计算瞬时相位的简单方法.一种方法称之为直接分解方法,
The geometries of reactant, product and transition state of the title reaction have been optimized by using density functional theory (DFT) at the B3LYP/6-31G(d
讨论了一种对有限光子图像累加的统计处理方法.在超微弱发光的研究中(例如细胞的超微弱荧光),由于发光强度极弱,需要用像增强器对超微弱发光图像进行增强得到可视光子图像,超
在水热条件下合成了新型超分子化合物(bipyH2)2(H2P2Mo5O23)*H2O, 对其进行了红外光谱、拉曼光谱、紫外-可见漫反射光谱、荧光光谱和循环伏安等分析表征. X射线单晶结构分析
报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV ,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明
通过对原子团簇模型进行第一原理计算 ,研究了过渡合金元素对TiH2 体模量的作用。结果显示 :随着同一周期各合金元素原子序数的增加 ,合金化TiH2 体系的体模量先增加后减小。
系统研究了室温下Tb0 .3 Dy0 .7(Fe1 -xAlx) 1 .95(x=0 ,0 .0 5 ,0 .1,0 .15 ,0 .2 ,0 .2 5 ,0 .3,0 .35 )合金中金属Al替代Fe对晶体结构、磁致伸缩、各向异性和自旋重取向的
本文求解了层状粘弹性饱和土地基与上部结构共同作用问题。对Biot固结方程引入McNamee位移函数,并进行Laplace-Hankel变换,建立了单层饱和土的初始函数和半空间饱和土的刚度
通过X射线衍射和磁性测量研究了Gd2 Co1 7-xMnx(x =0— 1)化合物的结构和磁性 .X射线衍射表明样品均为Th2 Zn1 7型菱方结构 .晶胞体积随Mn含量x线性增大 ,居里温度TC 单调下