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提出了使用CMOS工艺的集成霍尔器件的一个新的电阻仿真模型.可用于设计集成霍尔传感器的整体设计,将磁信号转换为电信号.使用Verilog-A HDL语言实现,并且用Spectre电路仿真器执行,可实现宽温度范围应用.行为方程和行为参数建立在霍尔器件的基本理论和半导体物理的基础上并且经过电路仿真验证.为了提供对集成霍尔传感器的仿真方便性,使用了必要的Verilog-A HDL实现的磁场模型和霍尔模型.