高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSb Ⅰ型量子阱室温工作激光器

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：krizy

【摘要】

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成功制备出2.6μm GaSb基Ⅰ型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(M BE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化

【作者】

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柴小力张宇廖永平黄书山杨成奥孙姚耀徐应强牛智川

【机构】

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中国科学院半导体研究所超晶格实验室,北京100083中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心,安徽合肥230026;

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2017年3期

【关键词】

：

镓锑基半导体激光器量子阱中红外

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成功制备出2.6μm GaSb基Ⅰ型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(M BE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500℃,并将量子阱的压应变调节为1.3％.制备了脊宽100 μm、腔长1.5 mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328 mW室温连续工作,阈值电流密度为402 A/cm2,在脉冲工作模式下,功率达到700 mW.

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