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成功制备出2.6μm GaSb基Ⅰ型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(M BE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500℃,并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100 μm、腔长1.5 mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328 mW室温连续工作,阈值电流密度为402 A/cm2,在脉冲工作模式下,功率达到700 mW.