非掺杂InP中深陷阱与载流子的产生和输运的影响

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利用四波混频(FWM)技术对未掺杂双面抛光的InP晶片进行了测试分析.室温下在1064nm用时间分辨皮秒四波混频技术测试了材料的载流子的产生、复合、衰减动力学以及曝光特性等过程.阐明了InP中深陷阱在载流子的产生与输运中的作用,并给予了解释.未掺杂InP样品的衍射效率作为能量函数可用两个光栅周期来表达.未掺杂InP样品中的深施主缺陷也由空间电荷载流子的输运过程来证实.
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