【摘 要】
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通过在300μm厚度的Ga As衬底条件下,利用共面波导传输线实现了基波混频集成电路设计。利用半导体分析仪测试I-U和C-U曲线,并成功提取了相应的肖特基二极管模型。结合建立的
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所,中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划（973计划）资助项目（2015CB755406）,国防基础科研计划资助项目（JCKY2016212C045,JCKY2017212C002）
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通过在300μm厚度的Ga As衬底条件下,利用共面波导传输线实现了基波混频集成电路设计。利用半导体分析仪测试I-U和C-U曲线,并成功提取了相应的肖特基二极管模型。结合建立的肖特基二极管模型,代入Lange耦合器、中频结构和匹配网络等实现了140 GHz零中频基波混频片上电路,并加入了地-信号-地（GSG）测试封装。最终仿真结果表明：在固定中频1 GHz的条件下,变频损耗最优为-7 dB,3 dB带宽大于40 GHz。
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