【摘 要】
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报道了一种从氢化非晶硅薄膜中生长纳米硅粒的方法．氢化非晶硅薄膜经过不同条件的热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。实验结果表明:在快速升温条件下
【机 构】
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淮海工学院数理科学系 江苏 连云港 222005
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报道了一种从氢化非晶硅薄膜中生长纳米硅粒的方法．氢化非晶硅薄膜经过不同条件的热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。实验结果表明:在快速升温条件下所形成的nc-Si在薄膜中的分布是随机均匀的,直径在1．6-15 nm范围内,硅粒大小随退火过程中升温快慢而变化。
A method of growing nano-silicon particles from hydrogenated amorphous silicon films was reported. Hydrogenated amorphous silicon thin films after different conditions of thermal annealing treatment, the samples were analyzed by Raman scattering and X-ray diffraction. The experimental results show that the distribution of nc-Si formed in the film under the condition of rapid heating is random and uniform, the diameter is in the range of 1.6-15 nm, and the size of the silicon particles changes with the temperature rising in the annealing process.
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