【摘 要】
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摘要利用溶液腐蚀法制备了Mn^2＋、Ni^2＋、Fe^3＋、Cu^2＋离子掺杂的ZnO基稀磁半导体。XRD表明掺杂后的ZnO仍然保持单一的纤锌矿结构，没有任何杂质相产生。由紫外-可见光反射谱可知掺
【基金项目】
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重庆交通大学青年基金(XN(2009)16)
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摘要利用溶液腐蚀法制备了Mn^2＋、Ni^2＋、Fe^3＋、Cu^2＋离子掺杂的ZnO基稀磁半导体。XRD表明掺杂后的ZnO仍然保持单一的纤锌矿结构，没有任何杂质相产生。由紫外-可见光反射谱可知掺杂后吸收边发生了红移。掺杂前ZnO的带隙为3．20eV，对样品分别掺入Mn、Ni、Fe和Cu后的带隙分别为3．19eV、3．15eV、3．08eV和3．17eV。掺杂后样品的室温PL谱除了紫外发射峰外，对于Mn掺杂的样品还在蓝光区域出现了2个分别位于424nm和443nm的发射峰，Fe掺杂的样品出现了一个位于46
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