【摘 要】
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采用室温磁控溅射技术在金属钛表面制备出碳化硅（SiC）薄膜。研究了SiC薄膜的组织结构、纳米压痕行为和摩擦磨损性能。实验结果表明：SiC薄膜呈非晶态,含有较多Si-C键;膜-基间结合
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采用室温磁控溅射技术在金属钛表面制备出碳化硅（SiC）薄膜。研究了SiC薄膜的组织结构、纳米压痕行为和摩擦磨损性能。实验结果表明：SiC薄膜呈非晶态,含有较多Si-C键;膜-基间结合很好,具有明显的且呈梯度的相互元素扩散;薄膜的硬度（H）为12.1 GPa,杨氏弹性模量（E）为166.2 GPa,硬度与弹性模量比值（H/E）为0.073;在以氮化硅球为对摩件,初始Hertzian接触应力约为685~930 MPa的室温Kokubo人体模拟体液条件下,其磨损速率在10-5 mm3/Nm级,摩擦系数约为0.2
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