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领先的、高性能模拟和混合信号集成电路和高可靠性半导体器件制造商Microsemi日前宣布,推出新的高速Power MOS8(r)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)系列,该系列器件产品采用穿通工艺技术,电压为600V和900V。非常适用于太阳能逆变器、高性能SMPS以及诸如电焊机、电池充电器和感应加热之类的工业设备。