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随着CMOS工艺技术的不断发展进入到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25μm,器件的高集成度增进了集成电路（IC）的性能及运算速度。但随着器件尺寸的缩减,却出现了一些可靠性问题,其中ESD（electrostatic discharge）是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一。ESD现象主要对电子器件造成损坏为：在半导体中由于介质击穿而导致氧化物薄膜破裂;由于EOS（electrical overstress）引起过热,导致金属导线熔化;由于寄生的PNPN结构而导致CMOS器件闭锁;ESD使