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目的 观察A549细胞的低剂量辐射超敏感性现象,探讨其发生的机制.方法 A549细胞接受0～2 Gy的60Co γ射线照射后,流式细胞仪对其分选计数,克隆形成法检测细胞存活分数,Western blot法检测ATMl981Ser-P蛋白表达,Hoechst 33258荧光染色法、AnnexinV-FITC/PI双染流式细胞仪检测细胞凋亡,PI单染流式细胞仪检测细胞周期.结果 细胞在0～0.3 Gy表现出单位剂量杀伤增强,在0.3～0.5 Gy表现出一定的辐射抗性,0.5 Gy后的区域存活分数随辐射剂量的增加而降低.照射后1 h,ATM激酶在0.2 Gy时开始活化,0.5 Gy时活化达高峰(t=7.96,P＜0.05);与0.5 Gy相比1.0和2.0 Gy的活化水平无明显变化(t=0.69、0.55,P＞0.05).照射后24 h,部分细胞发生凋亡,其凋亡曲线与存活曲线相吻合.与未照射组相比,0.1和0.2 Gy组在各时间点(照射后6、12和24 h)的细胞周期无明显变化,而0.3、0.4和0.5 Gy组,照射后6和12 h细胞发生G2/M期阻滞(t=2.87、2.88、4.92和3.70、3.12、8.11,P＜0.05),照射后24 h G2/M期细胞比例下降(t=3.87、4.77、3.01,P＜0.05).结论 A549细胞存在HRS/IRR现象,其发生可能与ATM激酶、细胞周期变化有关,凋亡是细胞死亡的主要方式。