论文部分内容阅读
高温高压温度梯度法生长优质宝石级金刚石单晶过程中，晶体生长主要由碳源在触媒中的扩散过程决定。本研究通过有限元对碳源对触媒的扩散过程进行了简单模拟，结果发现，受温度梯度法特定组装结构影响，实际晶体在生长过程中，由高温端扩散下来的碳源在触媒中的分布是相当不均匀的。对晶体生长来说，这种碳源扩散不均一性会直接影响晶体的生长过程。在籽晶粒度超过2mm时，晶体中心部位出现较多包裹体，或者生长表面无法生长愈合。