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研究了等离子体增强化学气相淀积法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配双与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。同时，对研制成的薄膜的ＭＩＳ结构进行了电学测试，探讨了膜层中氮、氧含量变化对薄膜电学特性的影响。
PECVD法制备SiOxNy膜中组份对电学特性的影响
【摘 要】
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研究了等离子体增强化学气相淀积法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配双与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。同时，对研制成的薄膜的ＭＩＳ结构进行了电学测试，探
【机 构】
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华南理工大学应用物理系
【出 处】
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华南理工大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1995年12期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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