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用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO(铟锡氧化物导电玻璃)/TiO2/Q-PbS(量子点PbS)膜电极的光电转换性质。结果表明,由于量子尺寸的效应,在膜电极制备中,随着ITO/TiO2电极在饱和Pb(OH3COO)2溶液中浸泡时间的不同,所制备的Q-PbS颗粒大小不同,禁带宽度随着浸泡时间的增大而减小,浸泡时间为40s、在80℃烘干下制备的Q-PbS的禁带宽度为1.68eV,其价带位置为-5.072eV。Q-PbS修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高宽禁带半导体的