摘要：设计一种低压共源共栅带隙基准源，具有结构简单、面积小、电源抑制比较高等特点。該电路采用CSMC 0.35um cMOs工艺，用cadence中的spectre仿真，输出电压为1.185V，在-40～125℃温度范围内，温度系数为6.9ppm，在1000Hz频率时电源抑制比为-70dB。
　　关键词：CMOS；带隙基准源；温度系数；电源抑制比
　　
　　中图分类号：TN4
　　文献标识码：A
　　文章编号：1671-7597(2011)0120006-01