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ZnO是Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体材料，属六方纤锌矿结构。ZnO晶胞中，四配位的O2-和Zn2+组成的交替平面沿着c轴堆积，使得ZnO具有良好的压电特性和热电特性。ZnO的禁带宽度在室温下为3.37eV，适合作为短波长的光电器件材料。激子束缚能为60meV，可以实现室温下的激子受激发光。通过掺杂的ZnO薄膜既具有良好的导电性，在可见光区域又有很高的透射率，可以在太阳能电池中用作窗口材料和透明电极。尤其ZnO的纳米结构在制备光电子器件方面有很好的应用价值，且制备工艺简单，原料丰富无毒。因此ZnO是一种具有重要研究