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采用ＴＥＭ研究了ＳｉＣ／Ａｌ－Ｓｉ复合材料，提出了“界面Ｓｉ”的概念。由于与增强体ＳｉＣ不润湿，初生α（Ａｌ）相不在ＳｉＣ颗粒上核并对其发生排斥。（Ａｌ＋Ｓｉ）共晶体中的共晶领先相Ｓｉ优先在ＳｉＣ表面上形核、长大，形成界面Ｓｉ，并形成大量ＳｉＣ／Ｓｉ界面。ＳｉＳｉ界面“干净”、平直、结合紧密，其中未发现任何界面相。在个别Ｓｉ／Ａｌ界面上析出了二次Ｓｉ。