双栅MOSFET高频特性的实验研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：oupser123

【摘要】

：

设计制作了不同沟道长度、栅材料以及栅电极构形的各种双栅MOSFET。通过实验全面研究了设计和工艺参数对器件高频特性的影响,阐明了双栅MOSFET的高频设计思想,给出了全离子注

【作者】

：

李元雄张敏

【机构】

：

中国科学院上海冶金研究所微电子学分部,中国科学院上海冶金研究所微电子学分部

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1990年1期

【关键词】

：

双栅 MOSFET 离子注入高频特性 Dual gate MOSFETMaximum available power gain1μm channel leng

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

设计制作了不同沟道长度、栅材料以及栅电极构形的各种双栅MOSFET。通过实验全面研究了设计和工艺参数对器件高频特性的影响,阐明了双栅MOSFET的高频设计思想,给出了全离子注入高频低噪声工艺。有效沟道长度为1μm的超高频双栅MOSFET在900MHz下功率增益为17dB,有效沟道长度为1.5μm的甚高频器件在200MHz下功率增益为23dB.

其他文献

小额免密支付功能“惹祸” 银行集体承诺完善服务

3月22日,多家银行在同一天发布了小额免密客户告知函:针对央视“3·15晚会”提出的关于小额免密功能的开通与关闭疑问,多家银行表示,将尽快提供更为丰富的关闭和恢复开通

期刊

免密支付借记卡持卡人电子现金完善服务

短沟道薄硅膜CMOS／Simox电路的研究

通过大剂量氧离子注入(150key,2×10~(18)O~+/cm~2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SI

期刊

薄硅源沟道效应CMOS/SIMOX电路Thin film sicharacteristics of sub-thresholdshort-channel

帮助他人购买毒品的行为应如何定性

2000年4月5日，张某到李某处玩耍，李某毒瘾发作，将1000元钱交给张某，哀求张某为其购买海洛因。张某用这笔钱从牛某处购得海洛因6克交给李某，李某除自己吸食外，把海洛因分成若干小包

期刊

购买定性行为毒品他人2000年海洛因张某

MBE高掺杂n—GaAa：Si和p—GaAs：Be的光致发光谱

我们对MBE高掺杂的n-GaAs∶Si和p-GaAs∶Be进行了光致发光研究,详细比较了高掺杂n-GaAs和p-GaAs在光谱线型,峰值半宽,峰值位置等方面的差异,以及两者的发光与温度的关系.由分

期刊

光致发光掺杂砷化镓分子束外延PhotoluminescenceGaAsHeavy dopingMBE

高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱

用Raman光谱测量了高剂量B~+注入后,经不同激光功率退火的SOM上的硅膜.硅膜的晶化和杂质的激活,在光谱上得到充分的反映.满足临界条件的激光退火工艺,可使SOM达到制作压敏器

期刊

SOM高剂量离子注入硅RAMAN光谱SOMHigh-dose B~+ implantationStress inducedFano lineshape

现代信息技术对美国非法证据排除规则的影响

非法证据排除规则在美国证据法中是最具争议性的证据规则之一,自从1914年美国联邦最高法院在威克斯诉合众国一案中确立该规则以来,围绕这一规则所产生的争议就接连不断.争议

期刊

非法证据排除规则现代信息技术美国联邦最高法院1914年1961年1949年证据规则地域范围主要表现案件范围俄亥俄州适用争议性证据法

贪官“五比”

信不信由你,贪官常常是比出来的.一是比升迁速度.许多干部的腐败往往是从贪图官位开始的.对任何一个人来讲,求上进本是件无可非议的事,官员也不例外.然而随着干部选拔任用标

期刊

贪官国家工作人员例外腐败干部选拔官位升迁产值政绩个人

调控多孔硅光致发光波长的研究

用超声声空化与脉冲电化学腐蚀相结合的物理化学综合法在不同的温度下制备多孔硅样品.所测得的样品的光致发光谱曲线表明,将腐蚀槽置于超声器中用脉冲电化学腐蚀方法制备的多

期刊

光致发光波长声空化温度效应photoluminescent wavelength sonic vacating temperature effect

P—n结电场分布的一种解析法

本文发展一种求解泊松方程解的电势与电场的超定方程组的新方法,获得p—n结非对称圆柱解下的圆柱结与平面结相匹配的电势与电场分布及椭圆圆柱解下两者相统一的电场分布公式

期刊

P-N结电场分布泊松方程解析法P-n junctionField profile Poisson's equationAnalytical so

新型红外反射式偏振器的设计与研制

常用的反射偏振器是利用Brewster角原理,由被抛光的介质基底表面及透明或吸收基底镀以薄膜而组成.文章给出了一种在红外区直接在Si晶体表面应用Brewster角原理使P分量反射后

期刊

偏振光红外偏振器布儒斯特角反射偏振器polarized light infrared polarizer Brewster angle reflecti

双栅MOSFET高频特性的实验研究

与本文相关的学术论文