Evidence of Positron Trapping into Defects in Zn-Doped GaAs

来源 :武汉大学学报：自然科学英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lebaishi310

【摘要】

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The defect properties in as-grown and deformed p-type GaAs with different concentration of dopants and different growth method have investigated by positron lif

【作者】

：

WangZhu ZhengZi-yao SuBen-fa H

【机构】

：

SchoolotPhysicsandTechnology

【出处】

：

武汉大学学报：自然科学英文版

【发表日期】

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2003年04A期

【关键词】

：

正电子诱捕锌砷化镓半导体掺杂剂

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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The defect properties in as-grown and deformed p-type GaAs with different concentration of dopants and different growth method have investigated by positron lifetime measurement. The result indicates that no positron trapping was observed in LEC-grown Zn-

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