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本文介绍一种确定SOI/MOS结构中沿硅薄膜厚度多子漂移分布和杂质分布的简单方法(其掺杂剖面是随机不均匀的)。这种方法基于使用一种耗尽型晶体管与栅控二极管的组合结构。作者列举在激光区熔再结晶多晶硅制的SOI结构和SOS结构上以相同工艺制作器件的对比研究结果。由这些结果可见,在包含有晶粒间界和子晶粒间界的SOI薄膜中,沿膜厚的载流子迁移率是恒定的,而且远远超过SOS膜中的迁移率。