Sirenza的SiSiC FET获得美国专利

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射频集成电路(RFIC)供货商Sirenza Microdevices公司的碳化硅(SiC)微波场效应晶体管结构获得美国专利。这是其首项“碳化硅上硅”(SiSiC)半导体专利。这种新结构的1—4GHz器件所提供的高功率微波性能超过了目前用任何其它半导体工艺所能达到的微波性能。Sirenza将把这种新器件结构用于未来功放模块中。 Sirenza Microdevices Corporation, a supplier of radio frequency integrated circuit (RFIC) silicon carbide (SiC) microwave field-effect transistor, obtained the U.S. Patent. This is its first “Silicon on Silicon” (SiSiC) semiconductor patent. The newly constructed 1-4GHz devices provide high-power microwave performance that exceeds the microwave performance currently available with any other semiconductor process. Sirenza will use this new device structure for future amplifier modules.
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