【摘 要】
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探讨美国LAM2300 E4（平台型号）型机台多晶硅Poly干法刻蚀工艺下易发缺陷造成低良率问题的改善方案。该干法刻蚀工艺由于刻蚀后晶圆表面残留腐蚀性挥发气体较多,易引发晶圆产生
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探讨美国LAM2300 E4（平台型号）型机台多晶硅Poly干法刻蚀工艺下易发缺陷造成低良率问题的改善方案。该干法刻蚀工艺由于刻蚀后晶圆表面残留腐蚀性挥发气体较多,易引发晶圆产生缺陷的风险,这一现象通过刻蚀、未刻蚀硅片的混装实验得到了证实。通过研究LAM2300 E4、V2（平台型号）型大气传送机构（ATM）的风压,发现：（1）风压的差异是导致该低良率问题的主要原因;（2）E4平台的风压明显小于V2平台,是E4平台易发低良率的主要原因。调整E4平台FFU（风机过滤单元）风速设定,适当提高ATM风压有效改善
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